Simulation d'un transistor MOS silicium-sur-isolant à désertion profonde avec contrôle du potentiel arrière
Publisher: Edp Sciences
E-ISSN: 0035-1687|19|11|921-926
ISSN: 0035-1687
Source: Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.19, Iss.11, 1984-11, pp. : 921-926
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