Etude comparative du claquage dans les transistors à effet de champ de puissance MESFET, TEGFET et MISFET

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|23|7|1205-1213

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.23, Iss.7, 1988-07, pp. : 1205-1213

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance ; le compromis entre la résistance à l'état passant RON et la tension de claquage VDBR

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 16, Iss. 9, 1981-09 ,pp. : 509-515

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude théorique et expérimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 18, Iss. 11, 1983-11 ,pp. : 719-726

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude d'une nouvelle utilisation des transistors de puissance dans les convertisseurs haute tension à fréquence élevée

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 16, Iss. 6, 1981-06 ,pp. : 333-342

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etude des effets parasites affectant le fonctionnement des transistors à effet de champ à gaz d'électrons bidimensionnel

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 24, Iss. 6, 1989-06 ,pp. : 649-658

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 23, Iss. 7, 1988-07 ,pp. : 1185-1198

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite