Etude du dopage de l'arséniure de gallium par la technique d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques

E-ISSN： 0035-1687|17|7|405-413

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.17, Iss.7, 1982-07, pp. : 405-413

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