Nouveaux développements dans l'étude de phénomènes de transport en présence d'un désordre à moyenne distance. Application aux semiconducteurs

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|13|5|246-251

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.13, Iss.5, 1978-05, pp. : 246-251

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