Nouvelle méthode de profilométrie capacitive des porteurs libres et des centres profonds dans les semiconducteurs

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|22|11|1381-1388

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.11, 1987-11, pp. : 1381-1388

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