Publisher: Edp Sciences
E-ISSN: 0035-1687|24|5|539-543
ISSN: 0035-1687
Source: Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.24, Iss.5, 1989-05, pp. : 539-543
Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.
Related content
Dopage par As de couches épitaxiées de Ge sur substrats Ge et GaAs
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 21, Iss. 5, 1986-05 ,pp. :