α Rh2As : un candidat possible pour la réalisation de structures épitaxiées (composé métallique)/GaAs

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|22|8|845-850

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.8, 1987-08, pp. : 845-850

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