Optimisation du profil de dopage d'un MESFET réalisé par implantation ionique

E-ISSN： 0035-1687|21|2|139-149

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.21, Iss.2, 1986-02, pp. : 139-149

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