Publisher: Edp Sciences
E-ISSN: 0035-1687|21|2|131-137
ISSN: 0035-1687
Source: Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.21, Iss.2, 1986-02, pp. : 131-137
Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.
Related content
Les étalons de rayonnement dans l'ultraviolet
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 12, Iss. 6, 1977-06 ,pp. :
Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 15, Iss. 9, 1980-09 ,pp. :
UTILISATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE DANS LES TECHNOLOGIES MOS
Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. :