Réalisation et caractérisation d'un transistor à effet de champ JFET au GaAs en vue de son intégration avec une photodiode

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|22|1|77-82

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.1, 1987-01, pp. : 77-82

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