Caractérisation électrique des interfaces P+-Si-poly/N-c-Si réalisées par dépôt LPCVD de films fortement dopés $in~situ$ au bore

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|3|8|1675-1687

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.3, Iss.8, 1993-08, pp. : 1675-1687

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