Étude des pièges dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs à l'aide de la méthode dite de “relaxation isotherme”. Corrélation avec les anomalies de fonctionnement

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|3|2|185-206

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.3, Iss.2, 1993-02, pp. : 185-206

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