Méthodologie d'approche pour la conception des transistors VDMOS de puissance

E-ISSN： 1286-4897|4|10|1939-1955

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.4, Iss.10, 1994-10, pp. : 1939-1955

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Influence des zones d'accès sur la résistance à l'état passant des transistors moyennes tensions VDMOS de puissance

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 20, Iss. 11, 1985-11 ,pp. : 759-770

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Système expert pour la conception en électronique de puissance

Journal de Physique III, Vol. 6, Iss. 3, 1996-03 ,pp. : 349-361

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Phénomènes d'électrisation des matériaux isolants pour transformateurs de puissance

Journal de Physique III, Vol. 4, Iss. 7, 1994-07 ,pp. : 1295-1304

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Méthodologie de caractérisation d'un faisceau laser de puissance

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 25, Iss. 3, 1990-03 ,pp. : 313-321

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Estimation de la puissance minimum pour atteindre le seuil d'inversion de population dans le cas des lasers X pompés par décharge capillaire

Le Journal de Physique IV, Vol. 09, Iss. PR5, 1999-05 ,pp. : Pr5-47-Pr5-48

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite