Simulation de la cinétique des transitions électroniques entre les niveaux énergétiques d'un semiconducteur doté d'impuretés

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|9|2|451-454

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.9, Iss.2, 1974-03, pp. : 451-454

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