Méthode itérative de calcul des concentrations en éléments donneurs et accepteurs d'un semiconducteur faiblement dopé : application au cas de GaAs de type n

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|12|5|877-883

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.12, Iss.5, 1977-05, pp. : 877-883

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