Propriétés en hautes fréquences des transistors MOS à canal court. Analyse théorique des propriétés de la zone active

E-ISSN： 0035-1687|14|8|763-773

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.14, Iss.8, 1979-08, pp. : 763-773

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