Microstructures III-V sous pression hydrostatique

E-ISSN： 0035-1687|22|8|859-866

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.8, 1987-08, pp. : 859-866

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Mesures de ténacité sur un alliage d'aluminium à haute résistance sous pression hydrostatique

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 9, Iss. 4, 1974-07 ,pp. : 637-649

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE DU PHÉNOMÈNE DE CONDUCTION ÉLECTRIQUE DANS LES ISOLANTS SOLIDES SOUS HAUTE PRESSION HYDROSTATIQUE

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 45, Iss. C8, 1984-11 ,pp. : C8-217-C8-220

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

III-V Semiconductors and Microelectronics

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 8, 1987-08 ,pp. : 786-786

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Éclateur 120 kV faible inductance sous pression d'hexafluorure de soufre

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 2, Iss. 1, 1967-03 ,pp. : 7-16

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Passivation des semiconducteurs III-V

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 25, Iss. 9, 1990-09 ,pp. : 895-914

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite