Croissance épitaxique de composés semiconducteurs par évaporation-diffusion en régime isotherme

Publisher: Edp Sciences

E-ISSN: 0035-1687|1|1|11-17

ISSN: 0035-1687

Source: Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.1, Iss.1, 1966-03, pp. : 11-17

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