Observation d'états excitoniques à température ambiante dans les semiconducteurs à puits quantiques de type InGaAs/InP (Applications)

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|22|10|1239-1251

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.10, 1987-10, pp. : 1239-1251

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