Application de la technique des oscillations d'intensité de diffraction électronique en incidence rasante à la croissance des semi-conducteurs III-V par épitaxie par jets moléculaires

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|22|8|827-836

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.22, Iss.8, 1987-08, pp. : 827-836

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