ÉTUDE DE LA RÉPARTITION DES IONS ET DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS PAR INTERFÉROMÉTRIE INFRAROUGE

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0449-1947|34|C5|C5-35-C5-38

ISSN： 0449-1947

Source： Le Journal de Physique Colloques, Vol.34, Iss.C5, 1973-11, pp. : C5-35-C5-38

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

PRODUCTION DES DÉFAUTS PAR IRRADIATION DANS LES SEMI-CONDUCTEURS

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. : C5-49-C5-60

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS DANS GaAs PAR L'IMPLANTATION DE Zn+ DE 1 MeV

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. : C5-119-C5-124

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS PAR IMPLANTATION DANS LE ZnTe

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. : C5-111-C5-118

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE DE LA LACUNE DANS LES SEMI-CONDUCTEURS IV, III-V ET II-VI PAR UNE MÉTHODE DE LIAISONS FORTES

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. : C5-61-C5-66

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE EN MICROSCOPIE ÉLECTRONIQUE DE DÉFAUTS CRÉÉS DANS LES MÉTAUX PAR IMPLANTATION IONIQUE

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. : C5-21-C5-25

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite