INCORPORATION DU PHOSPHORE DANS CdTe PAR RECUIT LASER

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0449-1947|44|C5|C5-261-C5-265

ISSN： 0449-1947

Source： Le Journal de Physique Colloques, Vol.44, Iss.C5, 1983-10, pp. : C5-261-C5-265

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Incorporation de l'aluminium, du phosphore et du zinc dans les hétérojonctions AlxGa1-xPyAs 1-y-GaAs réalisées par épitaxie en phase liquide

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 14, Iss. 1, 1979-01 ,pp. : 223-229

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

ÉTUDE DE CENTRES PROFONDS DANS CdTe PAR DES MÉTHODES DE PHOTOCAPACITANCE

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 35, Iss. C3, 1974-04 ,pp. : C3-247-C3-252

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

DIFFUSION DE L'ALUMINIUM DANS LE SILICIUM CRISTALLIN PAR RECUIT LASER SEMI-CONTINU

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 44, Iss. C5, 1983-10 ,pp. : C5-235-C5-240

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Applications des plasmas produits par le laser à excimères HERCULES-L : du recuit du silicium à la lithographie par rayons X

By  

Le Journal de Physique IV, Vol. 11, Iss. PR7, 2001-10 ,pp. : Pr7-133-Pr7-134

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Homojonction CdTe par croissance épitaxique en phase vapeur

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 12, Iss. 2, 1977-02 ,pp. : 423-426

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite