Bildung von GaN‐Schichten auf Saphir durch Niedertemperatur‐Pufferschichten und Erzeugung von p‐GaN durch Magnesium‐Dotierung und Elektronenbeschuss (Nobel‐Aufsatz)

Publisher： John Wiley & Sons Inc

E-ISSN： 1521-3757|127|27|7874-7879

ISSN： 0044-8249

Source： ANGEWANDTE CHEMIE, Vol.127, Iss.27, 2015-06, pp. : 7874-7879

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Abstract

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