Caractérisation structurale par XRD et RHEED de couches minces épitaxiées de GaN déposées sur Al2O3(0001) par ablation laser réactive

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1764-7177|10|PR10|Pr10-275-Pr10-280

ISSN： 1155-4339

Source： Le Journal de Physique IV, Vol.10, Iss.PR10, 2000-09, pp. : Pr10-275-Pr10-280

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