Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|13|10|503-512

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.13, Iss.10, 1978-10, pp. : 503-512

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