Influence de la technique de dépôt d'isolant et des modes de décapage du semiconducteur sur les propriétés électriques de structures métal-Al 2O3-InP
Publisher: Edp Sciences
E-ISSN: 0035-1687|18|12|769-773
ISSN: 0035-1687
Source: Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.18, Iss.12, 1983-12, pp. : 769-773
Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.