Appareillage et méthodologie d'étude des surfaces de GaAs en cours de croissance en épitaxie phase vapeur

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|11|5|587-595

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.11, Iss.5, 1976-09, pp. : 587-595

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