Publisher： Edp Sciences
E-ISSN： 0035-1687|15|3|717-723
ISSN： 0035-1687
Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.15, Iss.3, 1980-03, pp. : 717-723
Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.
Related content
Access to resources
Recommend
Modélisation du courant de seuil de diodes laser GaAlAs à guidage par l'indice
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 11, 1987-11 ,pp. :
Preparation et étude de diodes laser a GaInAsSb-GaAlAsSb fonctionnant en continu à 80K
Journal de Physique III, Vol. 1, Iss. 4, 1991-04 ,pp. :
INFLUENCE OF GRAPHITE BAFFLES IN GaAs/Ga AlAs OM-VPE GROWTH
Le Journal de Physique Colloques, Vol. 43, Iss. C5, 1982-12 ,pp. :
AlGaN-based laser diodes for the short-wavelength ultraviolet region
New Journal of Physics, Vol. 11, Iss. 12, 2009-12 ,pp. :
Access to resources