Niveaux profonds associés aux dislocations « 60° » dans les semiconducteurs de structure sphalérite

E-ISSN： 0035-1687|15|1|33-36

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.15, Iss.1, 1980-01, pp. : 33-36

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