Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|25|9|951-956

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.25, Iss.9, 1990-09, pp. : 951-956

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