Caractérisation des défauts produits dans GaAs irradié aux protons par analyse des transitoires thermiques et optiques de capacité

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|15|3|679-686

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.15, Iss.3, 1980-03, pp. : 679-686

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