Simulation d'un transistor MOS silicium-sur-isolant à désertion profonde avec contrôle du potentiel arrière

Publisher: Edp Sciences

E-ISSN: 0035-1687|19|11|921-926

ISSN: 0035-1687

Source: Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.19, Iss.11, 1984-11, pp. : 921-926

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