Related content

Etude théorique et expérimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 18, Iss. 11, 1983-11 ,pp. : 719-726

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 23, Iss. 7, 1988-07 ,pp. : 1185-1198

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Le transistor à effet de champ à grille Schottky au GaAs : analyse et modèle mathématique du fonctionnement avec la grille en polarisation directe

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 16, Iss. 6, 1981-06 ,pp. : 303-315

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Étude et réalisation d'amplificateur à transistor à effet de champ a l'AsGa refroidi à très basse température

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 4, 1978-04 ,pp. : 180-187

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 10, 1978-10 ,pp. : 503-512

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite