PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0449-1947|43|C5|C5-455-C5-455

ISSN： 0449-1947

Source： Le Journal de Physique Colloques, Vol.43, Iss.C5, 1982-12, pp. : C5-455-C5-455

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER In1-xGaxAsyP1-y/InP (x ≈ 0,5y, y ≈ 0,9) EMETTANT AU VOISINAGE DE 1,55µm ET CARACTERISEES PAR UNE FAIBLE DENSITE DE COURANT DE SEUIL

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 43, Iss. C5, 1982-12 ,pp. : C5-453-C5-453

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Croissance par épitaxie en phase liquide et caractérisation d'alliages Ga1-xIoxAsySb1-y à paramètre de maille accordé sur celui de GaSb

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 11, 1987-11 ,pp. : 1459-1467

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM) des solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y sur substrats de GaSb

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 8, 1987-08 ,pp. : 837-844

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Incorporation de l'aluminium, du phosphore et du zinc dans les hétérojonctions AlxGa1-xPyAs 1-y-GaAs réalisées par épitaxie en phase liquide

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 14, Iss. 1, 1979-01 ,pp. : 223-229

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Diagramme de phases et croissance par épitaxie en phase liquide du GaxIn1-xSb

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 9, Iss. 2, 1974-03 ,pp. : 455-463

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite