EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE DOUBLES HETEROSTRUCTURES LASER In1-xGaxAsyP1-y/InP (x ≈ 0,5y, y ≈ 0,9) EMETTANT AU VOISINAGE DE 1,55µm ET CARACTERISEES PAR UNE FAIBLE DENSITE DE COURANT DE SEUIL

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0449-1947|43|C5|C5-453-C5-453

ISSN： 0449-1947

Source： Le Journal de Physique Colloques, Vol.43, Iss.C5, 1982-12, pp. : C5-453-C5-453

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

PROBLEMES LIES A LA REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE DE LASERS A RUBAN ENTERRE In1-xGaxAsyP1-y (λ = 1,3 µm et 1,5 µm) DE FAIBLE LARGEUR (1 à 3 µm)

By  

Le Journal de Physique Colloques, Vol. 43, Iss. C5, 1982-12 ,pp. : C5-455-C5-455

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Croissance par épitaxie en phase liquide et caractérisation d'alliages Ga1-xIoxAsySb1-y à paramètre de maille accordé sur celui de GaSb

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 11, 1987-11 ,pp. : 1459-1467

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM) des solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y sur substrats de GaSb

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 8, 1987-08 ,pp. : 837-844

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Incorporation de l'aluminium, du phosphore et du zinc dans les hétérojonctions AlxGa1-xPyAs 1-y-GaAs réalisées par épitaxie en phase liquide

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 14, Iss. 1, 1979-01 ,pp. : 223-229

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Détermination de la pression d'arsenic minimale pour l'épitaxie par jets moléculaires de Ga1 - yInyAs/GaAs et Ga1 - xAlxAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 22, Iss. 8, 1987-08 ,pp. : 821-825

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite