Publisher: Edp Sciences
E-ISSN: 1764-7177|122|issue|75-80
ISSN: 1155-4339
Source: Le Journal de Physique IV, Vol.122, Iss.issue, 2004-12, pp. : 75-80
Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.
Related content
METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE (Al-Si)
Le Journal de Physique Colloques, Vol. 48, Iss. C6, 1987-11 ,pp. :
Croissance de cristaux de SiC à partir d'un alliage liquide Al-Si saturé en carbone
Le Journal de Physique IV, Vol. 11, Iss. PR10, 2001-12 ,pp. :
Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 25, Iss. 9, 1990-09 ,pp. :