Mécanismes de croissance des faces {001} exactes et désorientées de GaAs par la méthode aux chlorures sous H2 : diffusion superficielle, croissance par spirale, mécanismes de désorption HCl et GaCl3

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4862|7|7|889-907

ISSN： 1155-4304

Source： Journal de Physique I, Vol.7, Iss.7, 1997-07, pp. : 889-907

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