Croissance de Si3N4 sur GaAs et InP par pulvérisation réactive par faisceau d'ions

E-ISSN： 0035-1687|23|7|1305-1312

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.23, Iss.7, 1988-07, pp. : 1305-1312

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