Caractérisation et propriétés physiques des défauts induits dans les transistors MOS submicroniques par injections de porteurs chauds

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|2|5|777-804

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.2, Iss.5, 1992-05, pp. : 777-804

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