Caractéristiques électriques des barrières métal/AlInAs/GaInAs pour transistors à effet de champ AlInAs/GaInAs/InP

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|1|7|1289-1300

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.1, Iss.7, 1991-07, pp. : 1289-1300

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Etude théorique des performances de l'inverseur ECL à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 23, Iss. 6, 1988-06 ,pp. : 1117-1125

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction (DHBT) GaAlAs/GaAs pour circuits intégrés I2L

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 24, Iss. 2, 1989-02 ,pp. : 171-176

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Erratum - Etudes sous champ magnétique de l'effet tunnel résonnant et non-résonnant dans les structures à double barrière n-(AlGa)As/GaAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 24, Iss. 12, 1989-12 ,pp. : 1137-1137

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Erratum - Etudes sous champ magnétique de l'effet tunnel résonnant et non-résonnant dans les structures à double barrière n-(AlGa)As/GaAs.

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 24, Iss. 8, 1989-08 ,pp. : 847-847

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Etudes sous champ magnétique de l'effet tunnel résonnant et non résonnant dans les structures à double barrière n-(AlGa)As/GaAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 24, Iss. 3, 1989-03 ,pp. : 343-349

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite