Etude théorique des performances de l'inverseur ECL à base de transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|23|6|1117-1125

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.23, Iss.6, 1988-06, pp. : 1117-1125

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