Evaluation des performances du transistor MOS de puissance surcarbure de silicium. Compromis résistance passante, tenue en tension et vitessede commutation

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|4|8|1383-1396

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.4, Iss.8, 1994-08, pp. : 1383-1396

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