Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance ; le compromis entre la résistance à l'état passant RON et la tension de claquage VDBR

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|16|9|509-515

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.16, Iss.9, 1981-09, pp. : 509-515

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