Etude par pompage de, charge des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par rayonnements ionisants

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 1286-4897|4|9|1707-1721

ISSN： 1155-4320

Source： Journal de Physique III, Vol.4, Iss.9, 1994-09, pp. : 1707-1721

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