Related content

Etude par pompage de, charge des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par rayonnements ionisants

By  

Journal de Physique III, Vol. 4, Iss. 9, 1994-09 ,pp. : 1707-1721

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Nature et mécanisme de création des défauts induits à l'interface Si-SiO2 par injections homogènes de porteurs à travers l'oxyde de grille

By  

Journal de Physique III, Vol. 2, Iss. 6, 1992-06 ,pp. : 947-978

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Mise en évidence des mécanismes d'injection de porteurs majoritaires à l'interface semiconducteur/électrolyte

By  

Journal de Physique III, Vol. 4, Iss. 2, 1994-02 ,pp. : 273-291

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Implications of the interface effects in the normally-off type GaAs MESFETs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 12, 1978-12 ,pp. : 771-775

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Vieillissement accéléré et dégradation des diodes électroluminescentes à double hétérostructure (GaAl)As-GaAs

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 14, Iss. 4, 1979-04 ,pp. : 563-567

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite