Trap characterization in S. O. S. - M. O. S. transistors using noise measurements

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|13|5|227-231

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.13, Iss.5, 1978-05, pp. : 227-231

Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.

Previous Menu Next

Related content

Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 15, Iss. 9, 1980-09 ,pp. : 1445-1450

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Premier et second claquages dans les transistors M.O.S.

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 19, Iss. 10, 1984-10 ,pp. : 859-878

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Amplificateurs logarithmiques à transistors M.O.S. pour instrumentation spatiale

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 2, Iss. 2, 1967-06 ,pp. : 145-152

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Propriétés statiques des transistors M. O. S. de puissance à canal vertical. Cas du régime de non-pincement

By  

Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 1, 1978-01 ,pp. : 23-28

Edp Sciences

Access to resources Recommend Favorite

Temperature-Dependent Electrical Properties of Al2O3-Passivated Multilayer MoS2 Thin-Film Transistors

By Jeong Seok Hwan   Liu Na   Park Heekyeong   Hong Young Ki   Kim Sunkook  

Applied Sciences, Vol. 8, Iss. 3, 2018-03 ,pp. : 424-424

MDPI

Access to resources Recommend Favorite