Phénomènes de relaxation dans les structures planes épitaxiales à l'arséniure de gallium

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|12|10|1679-1694

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.12, Iss.10, 1977-10, pp. : 1679-1694

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