Phénomène de « quasi-saturation » dans les transistors M.O.S.

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|15|9|1445-1450

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.15, Iss.9, 1980-09, pp. : 1445-1450

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