Publisher： Edp Sciences
E-ISSN： 0035-1687|15|4|869-874
ISSN： 0035-1687
Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.15, Iss.4, 1980-04, pp. : 869-874
Disclaimer: Any content in publications that violate the sovereignty, the constitution or regulations of the PRC is not accepted or approved by CNPIEC.
Related content
Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 5, 1978-05 ,pp. :
Access to resources
Recommend
ÉTUDE EXPÉRIMENTALE DE LA RELAXATION DE RÉSEAU DES CENTRES PROFONDS DANS GaAs
Le Journal de Physique Colloques, Vol. 35, Iss. C3, 1974-04 ,pp. :
ÉTUDE EXPÉRIMENTALE DE L'ARSENIC IMPLANTÉ DANS LE SILICIUM
Le Journal de Physique Colloques, Vol. 34, Iss. C5, 1973-11 ,pp. :
Niveaux profonds dans les matériaux à haute résistivité : Si et Cds
Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol. 13, Iss. 11, 1978-11 ,pp. :