Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

Publisher： Edp Sciences

E-ISSN： 0035-1687|23|7|1185-1198

ISSN： 0035-1687

Source： Revue de Physique Appliquée (Paris), Vol.23, Iss.7, 1988-07, pp. : 1185-1198

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